理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司

技术优势

原子层沉积(ALD)技术原理

原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）是一种基于自限性表面化学反应的纳米级薄膜沉积技术。其核心工艺通过交替通入气相前驱体与反应物至反应腔，使两者在基底表面发生逐层饱和吸附与反应，最终形成厚度、组分及结构在原子尺度精确可控的薄膜。该技术具有工作温度范围广、大面积均匀性好、提升介电性能与抗腐蚀能力等优势。